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IGW25T120

Marking：G25T120；Package：PG-TO-247-3；Low Loss IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology

LowLossIGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnology ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchStop? andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedne

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW25T120

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW25T120_09

Low Loss IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology

LowLossIGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnology ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchStop? andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedne

InfineonInfineon Technologies AG

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IGW25T120FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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IKW25T120

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW25T120

TRENCHSTOPSERIES

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP314D ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPower

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

K25T120

TRENCHSTOPSERIES

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP314D ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPower

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MBQ25T120FESC

HighspeedFieldstopTrenchIGBT

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MBQ25T120FESCTH

HighspeedFieldstopTrenchIGBT

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

NLV25T120J

InductorsforStandardCircuitsWoundFerrite

OverviewoftheNLVSeries FEATURES ?Resinmoldtypewoundinductorforstandardcircuits. ?0.01to470μH,E-12Series,widelineupcompatiblewithJ(±5)tolerance,canbeusedforapplicationsthatneedtomeetstrictLtolerancesuchasfiltercircuits. ?Hasexcellentinductancetemperat

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化（中國）投資有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IGW25T120

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 25A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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P-TO247-3-1
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全新原裝現(xiàn)貨
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
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一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價格合理
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更多IGW25T120供應(yīng)商 更新時間2025-4-27 15:24:00

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