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首頁(yè)>IHW30N100R>芯片詳情
IHW30N100R 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IHW30N100R品牌:INFINEON
主營(yíng)全系列二三極管、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、
IHW30N100R是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IHW30N100R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IHW30N100R
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,30A
- 開(kāi)關(guān)能量:
2.1mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
-/846ns
- 測(cè)試條件:
600V,30A,26 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市柯?tīng)柣娮佑邢薰?/p>
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
鄧小姐/張小姐/高先生/馮先生
- 手機(jī):
13322992790/13322996087
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-82724303
- 傳真:
0755-82724303
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子佳和B座1301 上海 市虹口區(qū)密云路477號(hào)-203 柜臺(tái)新亞洲電子市場(chǎng)
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