首頁>IHW30N100T>規(guī)格書詳情

IHW30N100T分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW30N100T
廠商型號

IHW30N100T

參數(shù)屬性

IHW30N100T 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

功能描述

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

360.33 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 12:20:00

IHW30N100T規(guī)格書詳情

IHW30N100T屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IHW30N100T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IHW30N100TFKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    1.6mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    35ns/546ns

  • 測試條件:

    600V,30A,15 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon/英飛凌
22+
TO220
41500
原裝正品現(xiàn)貨
詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
詢價
INFINEON
100
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠
詢價
INFINEON
1923+
TO220
8900
公司庫存原裝低價格歡迎實單議價
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
詢價
INFINEON
24+
PG-TO247-3
8866
詢價
INFINEON
24+
MODULE
2100
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO220
18000
原裝正品
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO220
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價