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IHW30N110R5

Marking:H30KR5;Package:PG-TO247-3-STD-NN2.5;Reverse-Conducting IGBT with monolithic body diode

Features ?VCE=1100V ?IC=30A ?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly ?Verytightparameterdistribution ?Highruggedness,temperaturestablebehavior ?VerylowVCEsat ?Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperat

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N110R5XKSA1

Package:TO-247-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH

InfineonInfineon Technologies AG

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更多IHW30N110R5供應(yīng)商 更新時(shí)間2023-3-4 12:30:00