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IHW30N120R2FKSA1

INFINEON

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè)：天津市博通航睿技術(shù)有限公司

IHW30N120R2FKSA1

INFINEON

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè)：天津市博通航睿技術(shù)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IHW30N120R2FKSA1

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多IHW30N120R2FKSA1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 15:00:00

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