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IKD06N60R_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-英飛凌

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原廠料號(hào)：IKD06N60R品牌：Infineon Technologies

資料說(shuō)明：IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

IKD06N60R是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的IKD06N60R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ikd06n60r

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKD06N60R

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，6A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    330μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    12ns/127ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，6A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO252-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-252
2669
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
INF
21+
TO252-3
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
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70000
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Infineon
23+
TO-252
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INFINEON
23+
TO-252
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
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INFINEON
2023+
DPAK(TO-
80000
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 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
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PG-TO252-3
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INFINEON
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TO252-3
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Infineon/英飛凌
21+
PG-TO252-3
6000
原裝現(xiàn)貨正品
 詢價(jià)

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