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IMBG120R181M2H

Marking:12M2H181;Package:PG-TO263-7-HV-ND5.8;CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=10.5AatTC=100°C ?RDS(on)=181.4mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstpa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
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PG-TO263-7
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21+
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更多IMBG120R181M2H供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 9:02:00