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IMT65R022M1H分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
![IMT65R022M1H](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
IMT65R022M1H |
參數(shù)屬性 | IMT65R022M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個;產品描述:SILICON CARBIDE MOSFET |
功能描述 | SiC N-Channel MOSFET |
封裝外殼 | 8-PowerSFN |
文件大小 |
420.31 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-15 12:19:00 |
IMT65R022M1H規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply (SMPS)
·Uninterruptible Power Supply (UPS)
·Power Factor Correction (PFC)
產品屬性
- 產品編號:
IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 系列:
CoolSiC?
- 包裝:
管件
- 技術:
SiC(碳化硅結晶體管)
- 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):
18V
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應商器件封裝:
PG-HSOF-8-1
- 封裝/外殼:
8-PowerSFN
- 描述:
SILICON CARBIDE MOSFET
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
只做原裝 |
24+ |
SOT23-5 |
36520 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
NANOTEC |
23+ |
ZIP25 |
10000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
N/A |
24+ |
NA |
68900 |
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126 |
詢價 | ||
SAMSUNG/三星 |
2447 |
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23+ |
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24+ |
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新進庫存/原裝 |
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24+ |
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990000 |
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IMT |
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ZIP25 |
67500 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 |