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IMW120R090M1H

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Verylowswitchinglosses ·Widegate-sourcevoltagerange ·Efficiencyimprovement APPLICATIONS ·SolarInverters ·IndustrialUPS ·IndustrialSMPS ·Charger

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IMW120R090M1H

Marking:12M1H090;Package:PG-TO247-3;CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R090M1H

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETwith.XTinterconnectiontechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMZ120R090M1H

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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規(guī)格型號(hào):IKW75N60H3 IMW120R090M1H 封裝規(guī)格:TO-247安裝類型:側(cè)翼安裝應(yīng)用領(lǐng)域:航天機(jī)械輸出電流:所有功能參數(shù)表為準(zhǔn)訂貨號(hào):IKW75N60H3 IMW120R090M1H批號(hào):新年份正品現(xiàn)貨
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更多IMW120R090M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 16:56:00