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IMZA65R007M2H

Marking：65R007M2；Package：PG-TO247-4；CoolSiCa MOSFET 650 V G2

Features ?Ultra-lowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustagainstparasiticturn-onevenwith0Vturn-offgatevoltage ?Flexibledrivingvoltageandcompatiblewithbipolardrivingscheme ?Robustbodydiodeoperationunderhardcommutationevents ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG65R007M2H

MOSFETCoolSiCaMOSFET650VG2

Features ?Ultra-lowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustagainstparasiticturn-onevenwith0Vturn-offgatevoltage ?Flexibledrivingvoltageandcompatiblewithbipolardrivingscheme ?Robustbodydiodeoperationunderhardcommutationevents ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMDQ65R007M2H

CoolSiC?MOSFET650VG2

Features ?Ultra?lowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustagainstparasiticturn?onevenwith0Vturn?offgatevoltage ?Flexibledrivingvoltageandcompatiblewithbipolardrivingscheme ?Robustbodydiodeoperationunderhardcommutationevents ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMW65R007M2H

CoolSiCaMOSFET650VG2

Features ?Ultra-lowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustagainstparasiticturn-onevenwith0Vturn-offgatevoltage ?Flexibledrivingvoltageandcompatiblewithbipolardrivingscheme ?Robustbodydiodeoperationunderhardcommutationevents ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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原裝正品，支持實(shí)單
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更多IMZA65R007M2H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-17 16:47:00

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