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UPA2716AGR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2716AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2716GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2716GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS=–4.

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2716GR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IP2716供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 14:18:00