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IPA60R190P6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPA60R190P6
廠商型號

IPA60R190P6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

絲印標識

6R190P6

封裝外殼

PG-TO220FullPAK

文件大小

3.10731 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 10:23:00

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IPA60R190P6規(guī)格書詳情

Description

CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower

MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand

pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?P6seriescombinesthe

experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.

TheoffereddevicesprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFET

whilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconduction

lossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,

lighterandcooler.

Features

?IncreasedMOSFETdv/dtruggedness

?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss

?Veryhighcommutationruggedness

?Easytouse/drive

?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound

?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20

andJESD22)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPA60R190P6

  • 功能描述:

    MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
23+
TO220F
4350
原廠原裝正品
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INFINEON/英飛凌
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原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
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Infineon(英飛凌)
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PG-TO220-3
7588
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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