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IPB065N06LG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesForfastswitchingconvertersandsync.rectification

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB065N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP065N06LG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesForfastswitchingconvertersandsync.rectification

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP065N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

RSH065N06

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RSH065N06

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

RSH065N06TB

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RSS065N06

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RSS065N06FRA

Nch60V6.5AMiddlePowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RSS065N06-TB

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPB065N06L G

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 80A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
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TO263-3
8866
詢價(jià)
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23+
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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Infineon Technologies
21+
PG-TO263-3-2
1000
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!
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1709+
to-263/d2
32500
普通
 詢價(jià)
INFINEON
1503+
TO263-3
3000
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Infineon(英飛凌)
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INFINEON/英飛凌
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D2PAK(TO-263)
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多IPB065N06L G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-27 16:30:00

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