首頁>IPB107N20NA>規(guī)格書詳情

IPB107N20NA中文資料英飛凌數據手冊PDF規(guī)格書

IPB107N20NA
廠商型號

IPB107N20NA

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件大小

694.75 Kbytes

頁面數量

10

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-29 10:05:00

人工找貨

IPB107N20NA價格和庫存,歡迎聯系客服免費人工找貨

IPB107N20NA規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to AEC Q101

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

產品屬性

  • 型號:

    IPB107N20NA

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
21+
TO263
9852
只做原裝正品現貨!或訂貨假一賠十!
詢價
Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
7000
原廠原裝現貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
INF
22+
6000
代理原裝正品
詢價
Infineon(英飛凌)
2324+
PG-TO263-3
78920
二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口
詢價
Infineon(英飛凌)
2021/2022+
PG-TO263-3
7000
原廠原裝現貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現貨價秒殺全網
詢價
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO263-3
6820
只做原裝,質量保證
詢價
Infineon(英飛凌)
23+
PG-TO263-3
19850
原裝正品,假一賠十
詢價
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO263
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
詢價