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IPB60R190C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IPB60R190C6 |
| 功能描述 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
1.27182 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-28 10:04:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號：
IPB60R190C6
- 功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
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Infineon/英飛凌 |
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20+ |
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|
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英飛翎 |
17+ |
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INFINEON/英飛凌 |
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INFINEON |
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NA |
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Infineon(英飛凌) |
2021/2022+ |
TO-263-3 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
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Infineon(英飛凌) |
25+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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INFINEON |
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