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IPC313N10N3R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IPC313N10N3R |
| 參數(shù)屬性 | IPC313N10N3R 封裝/外殼為模具；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRENCH \u003e=100V |
| 功能描述 | Power MOS Transistor Chip |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
956.7 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-15 16:41:00 |
IPC313N10N3R規(guī)格書詳情
IPC313N10N3R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPC313N10N3R晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IPC313N10N3RX1SA2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 系列：
OptiMOS? 3
- 包裝：
管件
- FET 類型：
N 通道
- 技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
- 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：
100 毫歐 @ 2A，10V
- 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：
3.5V @ 275μA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 封裝/外殼：
模具
- 描述：
TRENCH \u003e=100V
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
TO220-3 |
17900 |
MOSFET管 |
詢價(jià) | ||
APEMComponents |
新 |
54 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
詢價(jià) | ||||
Infineon Technologies |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||||
SMT |
23+ |
SMD |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
NA |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
APEM |
23+ |
98000 |
詢價(jià) | ||||
Infineon Technologies |
21+ |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
