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IPD038N06NF2S中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPD038N06NF2S
廠商型號(hào)

IPD038N06NF2S

功能描述

StrongIRFETTM2 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

038N06NS

封裝外殼

PG-TO252-3

文件大小

997.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-9 18:28:00

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IPD038N06NF2S規(guī)格書詳情

Features

? Optimized for wide range of applications

? N-channel, normal level

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INENOI
10+
SOT252
500
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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Infineon(英飛凌)
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TO-252D-PAK
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優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅
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英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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原裝正品
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