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IPD068N10N3G中文資料友臺半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD068N10N3G
廠商型號

IPD068N10N3G

功能描述

100V N-Channel MOSFET

絲印標識

068N10N

封裝外殼

TO-252

文件大小

590.4 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺半導體

中文名稱

廣東友臺半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 17:02:00

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IPD068N10N3G規(guī)格書詳情

Features

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? 175 °C operating temperature

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

?(VGS = 10V)

?VDS (V) =100V

?ID =90A

?RDS(ON) <6.8mΩ(VGS=10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPD068N10N3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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