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ADM170N04

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

ADM170N04G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

IPD170N04NG

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPD170N04N G

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 30A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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DPAK(TO-252)
8866
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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INFINEON/英飛凌
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TO-252
20000
原裝現(xiàn)貨
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更多IPD170N04N G供應商 更新時間2025-2-11 16:30:00

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