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IPD60R450E6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD60R450E6
廠商型號

IPD60R450E6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件大小

1.21626 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 10:42:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPD60R450E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 9.2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
24+
NA/
5650
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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Infineon(英飛凌)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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TO-252
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