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IPI65R600C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPI65R600C6
廠商型號

IPI65R600C6

功能描述

650V CoolMOS C6 Power Transistor

文件大小

2.09837 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-11 20:00:00

IPI65R600C6規(guī)格書詳情

Description

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

Features

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

? Very high commutation ruggedness

? Easy to use/drive

???????? JEDEC1) qualified, Pb-free plating, available in Halogen free mold compound2)

Applications

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM

stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server,

Telecom and UPS.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPI65R600C6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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