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IPLK80R2K0P7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IPLK80R2K0P7 |
| 參數(shù)屬性 | IPLK80R2K0P7 封裝/外殼為8-PowerTDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET 800V TDSON-8 |
| 功能描述 | 800V CoolMOSa P7 Power Device |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SMD / 8-PowerTDFN |
| 文件大小 |
1.80987 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 16:10:00 |
| 人工找貨 | IPLK80R2K0P7價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多IPLK80R2K0P7規(guī)格書(shū)詳情
IPLK80R2K0P7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPLK80R2K0P7晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
Features
? Best-in-class FOM RDS(on) * Eoss; reduced Qg, Ciss, and Coss
? Best-in-class DPAK RDS(on)
? Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
? Integrated Zener Diode ESD protection
? Fully optimized portfolio
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IPLK80R2K0P7ATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 系列：
CoolMOS? P7
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TDSON-8
- 封裝/外殼：
8-PowerTDFN
- 描述：
MOSFET 800V TDSON-8
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
PG-TDSON-8 |
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詢價(jià) | ||
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