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IPP60R125CP中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPP60R125CP
廠商型號(hào)

IPP60R125CP

功能描述

CoolMOS Power Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

6R125P

封裝外殼

6R125P

文件大小

335.88 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 15:00:00

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IPP60R125CP規(guī)格書詳情

Features

? Lowest figure-of-merit RONxQg

? Ultra low gate charge

? Extreme dv/dt rated

? High peak current capability

? Qualified according to JEDEC1) for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

CoolMOS CP is specially designed for:

? Hard switching topologies, for Server and Telecom

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPP60R125CP

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX PWR 650V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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