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IPP60R520E6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPP60R520E6
廠商型號(hào)

IPP60R520E6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

6R520E6

封裝外殼

PG-TO220

文件大小

1.05442 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-14 18:14:00

IPP60R520E6規(guī)格書(shū)詳情

Description

CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power

MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle

and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS E6 series

combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with

high class innovation. The offered devices provide all benefits of a

fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use.

Extremely low switching and conduction losses make switching

applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

Features

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

? Very high commutation ruggedness

? Easy to use/drive

? JEDEC1) qualified, Pb-free plating, halogen free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPP60R520E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 8.1A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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