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IPP65R420CFD中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPP65R420CFD
廠商型號

IPP65R420CFD
功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
文件大小

4.60565 Mbytes
頁面數(shù)量

21 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 23:00:00
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IPP65R420CFD規(guī)格書詳情

Description

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

Features

? Ultra-fast body diode

? Very high commutation ruggedness

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

? Easy to use/drive, available in Halogen free mold compound1)

???????? Qualified for industrial grade applications according to JEDEC?

? ?(J-STD20 and JESD22)

? Pb-free plating, halogen free for mold compound (except PG-TO252)

Applications

???650V CoolMOS? CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM

? ?stages?for e.g. PC Silverbox, LCD TV, Lighting, Server and Telecom

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IPP65R420CFD

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    CoolMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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