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IPT020N10N5

Marking：020N10N5；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPT020N10N3

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NCEAP020N10LL

NCEAutomotiveN-ChannelSuperTrenchIIPowerMOSFET

Description TheseriesofdevicesusesSuperTrenchIItechnologythatis uniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequency switchingperformance.Bothconductionandswitchingpower lossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationof RDS(ON)andQg.Thisdeviceisideal

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

PRM020N10CT

100VSingleN-ChannelMOSFET

PFC

PFC Device Inc.

PRM020N10CTF

100VSingleN-ChannelMOSFET

PFC

PFC Device Inc.

PRM020N10D

100VSingleN-ChannelMOSFET

PFC

PFC Device Inc.

PRM020N10E

100VSingleN-ChannelMOSFET

PFC

PFC Device Inc.

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更多IPT020N10N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 11:10:00

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