IPT067N20NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	IPT067N20NM6
功能描述	MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V
絲印標識	067N20N6
封裝外殼	PG-HSOF-8
文件大小	1.02925 Mbytes
頁面數(shù)量	11 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-4 16:20:00
人工找貨	IPT067N20NM6價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? High avalanche energy rating

? 175°C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? MSL 1 classified according to J-STD-020

? 100 avalanche tested

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
標準國際(香港)有限公司	IPT07A14-19P	Glenair	1516		2	公司優(yōu)勢庫存熱賣中!	詢價
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