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IPT65R080CFD7

650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device

Features ?Ultra-fastbodydiode ?650Vbreakdownvoltage ?Best-in-classRDS(on) ?Reducedswitchinglosses ?LowRDS(on)dependencyovertemperature Benefits ?Excellenthardcommutationruggedness ?Extrasafetymarginfordesignswithincreasedbusvoltage ?Enablingincreasedpowe

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPT65R080CFD7XTMA1

Package：8-PowerSFN；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：HIGH POWER_NEW

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPDQ65R080CFD7

MOSFET650VCoolMOSaCFD7SJPowerDevice

Features ?Ultra-fastbodydiode ?650Vbreakdownvoltage ?Best-in-classRDS(on) ?Reducedswitchinglosses ?LowRDS(on)dependencyovertemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPDQ65R080CFD7A

MOSFET650VCoolMOSaCFD7ASJPowerDevice

Features ?Latest650Vautomotivequalifiedtechnologywithintegratedfastbody diodeonthemarketfeaturingultralowQrr ?LowestFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss ?100%avalanchetested ?Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages Benefits ?Lowerswitchinglossesenablinghigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPT65R080CFD7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 11:00:00

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