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IPTG020N13NM6

Marking：020N13N6；Package：PG-HSOG-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPT020N13NM6

MOSFETOptiMOSTM6Power-Transistor,135V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPTC020N13NM6

MOSFETOptiMOSTM6Power-Transistor,135V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPTG020N13NM6供應商 更新時間2025-5-19 10:15:00

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