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IQD063N15NM5CG中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IQD063N15NM5CG
廠商型號

IQD063N15NM5CG

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

絲印標(biāo)識(shí)

06315NC

封裝外殼

PG-TTFN-9

文件大小

1.13004 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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IQD063N15NM5CG規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? Superior thermal resistance

? 100 avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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