IR2101集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IR2101 |
| 參數(shù)屬性 | IR2101 封裝/外殼為8-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝為散裝；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
| 功能描述 | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| 封裝外殼 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 文件大小 |
148.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-20 23:00:00 |
| 人工找貨 | IR2101價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IR2101規(guī)格書詳情
IR2101屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IR2101柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
Description
The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
?? Fully operational to +600V
?? Tolerant to negative transient voltage
?? dV/dt immune
? Gate drive supply range from 10 to 20V
? Undervoltage lockout
? 3.3V, 5V, and 15V logic input compatible
? Matched propagation delay for both channels
? Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of
?? phase with inputs (IR2102)
? Also available LEAD-FREE
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IR2101
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
散裝
- 驅(qū)動(dòng)配置：
半橋
- 通道類型：
獨(dú)立式
- 柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
10V ~ 20V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，3V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
210mA，360mA
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
100ns，50ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-PDIP
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
50000 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
DIP8 |
2782 |
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詢價(jià) | ||
IOR |
23+ |
DIP |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
PDIP8 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IR |
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IR |
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IR |
24+ |
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IR |
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10000 |
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IR |
05+ |
DIP |
30 |
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詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
8DIP |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
