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IR2108S

HALF-BRIDGE DRIVER

Description TheIR2108(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor

IRF

International Rectifier

IR2108S

HALF-BRIDGE DRIVER

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IR2108S

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：散裝 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IR2108STR

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IR2108STRPBF

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRS2108

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2108/IRS21084arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS

IRF

International Rectifier

IRS2108

HALF-BRIDGEDRIVER

IRF

International Rectifier

IRS2108

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2108/IRS21084arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRS2108PBF

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2108/IRS21084arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS

IRF

International Rectifier

IRS2108S

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIRS2108/IRS21084arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IR2108S

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    散裝

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.9V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    200mA，350mA

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    150ns，50ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOP-8
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更多IR2108S供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 16:22:00

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