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IRF1018ESLPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF1018ESLPBF
廠商型號

IRF1018ESLPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

429.6 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 9:18:00

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IRF1018ESLPBF規(guī)格書詳情

Benefits

● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Applications

● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

● Uninterruptible Power Supply

● High Speed Power Switching

● Hard Switched and High Frequency Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF1018ESLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
TO-262
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全新原裝優(yōu)勢
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