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IRF1902PBF	文件：134.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseN-ChannelHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF1902TRPBF	文件：139.79 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-ChannelHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF1902TRPBF	文件：1.28434 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=20V,ID=12A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRLMS1902	文件：187.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLMS1902PBF	文件：197.07 Kbytes Page：8 Pages	GENERATIONVTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLMS1902PBF	文件：197.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
ISL1902	文件：1.35371 Mbytes Page：25 Pages	Full-Featured,DimmableACMainsLEDDriverwithPFC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
ISL1902	文件：872.58 Kbytes Page：25 Pages	Full-Featured,DimmableACMainsLEDDriverwithPFC	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL1902FAZ	文件：872.58 Kbytes Page：25 Pages	Full-Featured,DimmableACMainsLEDDriverwithPFC	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL1902FAZ	文件：1.35371 Mbytes Page：25 Pages	Full-Featured,DimmableACMainsLEDDriverwithPFC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

詳細參數(shù)

型號：
IRF1902PBF
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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