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IRF252中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF252
廠商型號(hào)

IRF252

功能描述

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

文件大小

49.56 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-20 17:11:00

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IRF252規(guī)格書詳情

FEATURES:

? Fast switching times

? Low RDS(on) HDMOS? process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Excellent high voltage stability

? Low input capacitance

? Improved high temperature reliability

APPLICATIONS:

? Switching power supplies

? Motor controls

? Audio Amplifiers

? Inverters

? Choppers

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF252

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    N-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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