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IRF2807Z中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF2807Z
廠商型號(hào)

IRF2807Z
功能描述

AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology
文件大小

4.64052 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-5-22 23:00:00
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IRF2807Z規(guī)格書詳情

Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Features

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF2807Z

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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