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IRF3315LPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF3315LPBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Surface Mount (IRF3315S)
? Low-profile through-hole (IRF3315L)
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3315LPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
25+23+ |
TO220 |
27463 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
9896 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
66 |
詢價 | |||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價 | |||
IR |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
TO-220AB |
105000 |
3000個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
8000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 |
