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IRF3415STRR

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP3415

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FullyAvalancheRated ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤42m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP3415

PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.042ohm,Id=43A)

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow

IRF

International Rectifier

IRFP3415PBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow

IRF

International Rectifier

IRFP3415PBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

JMTL3415K

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

JMTL3415KAEC

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

JMTL3415KC

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

KI3415PDFN

P-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

KO3415

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF3415STRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Infineon Technologies
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Infineon Technologies
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IR
23+
D2PAK
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多IRF3415STRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 9:16:00

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