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IRF3709S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF3709S
廠商型號(hào)

IRF3709S

功能描述

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A??

文件大小

121.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 8:10:00

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IRF3709S規(guī)格書(shū)詳情

SMPS MOSFET

Benefits

● Ultra-Low Gate Impedance

● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

● High Frequency Buck Converters for

Server Processor Power Synchronous FET

● Optimized for Synchronous Buck

Converters Including Capacitive Induced

Turn-on Immunity

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF3709S

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
TO-263
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
22+
TO-263
31250
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
Infineon/英飛凌
D2PAK
6000
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Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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INFINE0N
21+
D2PAK (TO-263)
32568
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
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TO-263
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TO-263
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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