IRF3710L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF3710L規(guī)格書詳情
VDSS = 100V
RDS(on) = 23m?
ID = 57A
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3710L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
IR |
16+ |
TO262 |
26590 |
進口原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO262 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO262 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價 | |||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO262 |
39197 |
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 |
