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IRF3805LPBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRF3805LPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF3805PBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRF3805PBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRF3805S	文件：361.25 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRF3805S	文件：300.09 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3805SLPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF3805SPBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=3.3m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRF3805SPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF3805LPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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