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IRF443中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF443
廠商型號(hào)

IRF443

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

211.25 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-5-19 10:48:00

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IRF443規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Boston) at high voltage

? Improved Inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polyslllcon gate cell structure

? Low Input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (High voltage)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF443

  • 制造商:

    International Rectifier

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VBSEMI臺(tái)灣微碧
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