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IRF530中文資料南晶電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF530
廠商型號

IRF530
功能描述

TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
文件大小

579.14 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Nanjing International Group Co
企業(yè)簡稱

DGNJDZ【南晶電子】

中文名稱

東莞市南晶電子有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 17:51:00
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IRF530規(guī)格書詳情

FEATURES

Low RDS(on)

VGS Rated at

±

20V

Silicon Gate for Fast Switching Speed

Rugged

Low Drive Requirements

DESCRITION

Designed especially for high voltage,high speed applications,

such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC

motor controls,relay and solenoid drivers.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF530

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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