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IRF610中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF610
廠商型號(hào)

IRF610
功能描述

3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
文件大小

55.29 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-6 11:44:00
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IRF610規(guī)格書詳情

This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features

? 3.3A, 200V

? rDS(ON) = 1.500?

? Single Pulse Avalanche Energy Rated

? SOA is Power Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF610

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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