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IRF620中文資料新澤西半導體數據手冊PDF規(guī)格書

IRF620
廠商型號

IRF620
功能描述

Power MOSFET
文件大小

107.31 Kbytes
頁面數量

2 頁
生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導體】

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-19 8:58:00
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產品屬性

  • 型號：

    IRF620

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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