IRF630S中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
IRF630S |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-263 |
| 文件大小 |
1.96765 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-21 15:56:00 |
| 人工找貨 | IRF630S價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF630S規(guī)格書(shū)詳情
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
? Surface Mount
? Available in Tape and Reel
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF630S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
21+ |
TO263 |
9850 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
2987 |
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)!歡迎來(lái)電! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
4500 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
60000 |
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
06+ |
TO-263 |
20000 |
自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠(chǎng)渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
24+ |
SMD-220 |
3200 |
絕對(duì)原裝自家現(xiàn)貨!真實(shí)庫(kù)存!歡迎來(lái)電! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO263-25 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR/VISH |
24+ |
65230 |
詢(xún)價(jià) |
