IRF640中文資料戈采數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF640 |
| 功能描述 | 18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET |
| 文件大小 |
158.63 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | First Components International |
| 企業(yè)簡稱 |
FCI【戈采】 |
| 中文名稱 | 戈采企業(yè)股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 23:12:00 |
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IRF640規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
This Power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
FEATURES
◆ Silicon Gate for Fast Switching Speeds
◆ Low RDS(on) to Minimize On-Losses. Specified at Elevated
Temperature
◆ Rugged – SOA is Power Dissipation Limited
◆ Source-to-Drain Characterized for Use With Inductive
Loads
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF640
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISH |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
TOSHIBA |
2016+ |
TO-220F |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
160871 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO220 |
18689 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO220 |
20 |
原裝房間現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR(國際整流器) |
24+ |
N/A |
55048 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO220-3 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
F |
23+ |
TOP220 |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
IR(國際整流器) |
24+ |
32000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談 |
詢價(jià) |
