IRF640中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF640 |
| 功能描述 | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET |
| 文件大小 |
107.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-18 8:10:00 |
| 人工找貨 | IRF640價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF640規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.150 ?
■ EXTREMELY HIGH dV/dt CAPABILITY
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF640
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 220 |
160871 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
663300 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
兩年內(nèi) |
NA |
30 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
86699 |
詢價(jià) | |||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
2050 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
18+ |
TO-220 |
6298 |
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
VISH |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
TOSHIBA |
2016+ |
TO-220F |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO220 |
12000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) |
