IRF640NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
IRF640NS |
功能描述 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) |
文件大小 |
155.4 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-21 12:21:00 |
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Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF640NS
- 制造商:
International Rectifier
- 功能描述:
MOSFET N D2-PAK
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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IR |
23+ |
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D2-PAK |
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