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STC6602

DualN&PChannelEnhancementModeMOSFET

STANSON

Stanson Technology

STC6602

N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

STT6602

N-Ch:3.3A,30V,RDS(ON)65mP-Ch:-2.3A,-30V,RDS(ON)120mN&P-ChannelEnhancementModeMos.FET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

STT6602

N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF6602

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IOR
24+
QFN
2372
詢價(jià)
IR
05+
原廠原裝
50051
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
DIRECTFET? MQ
4800
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營)!
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1503+
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Infineon
22+
NA
2118
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XX
23+
XX
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
xx
21+
XX
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
DirectFET? Isometric MQ
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
DirectFET? Isometric MQ
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多IRF6602供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 16:30:00

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